Chèchè nan Johns Hopkins University te revele yon nouvo apwòch nan chipmaking ki itilize lazè ak yon longèdonn 6.5nm ~ 6.7nm - ke yo rele tou Soft X-reyon - ki ka ogmante rezolisyon zouti litografi a 5nm ak pi ba a, rapò Cosmos, site yon papye pibliye nan Nature.
Syantis yo rele metòd yo 'beyond-EUV' - sigjere ke teknoloji yo ta ka ranplase endistri-litografi estanda EUV - men chèchè yo admèt yo kounye a se plizyè ane lwen bati menm yon zouti eksperimantal B-EUV.
Mou X-Ray yo ka defi Hyper-NA. Sou papye
Chips ki pi avanse jodi a yo fèt lè l sèvi avèk litografi EUV, ki opere nan yon longèdonn 13.5 nm epi yo ka pwodwi karakteristik osi piti ke 13nm (Ba -NA EUV nan 0.33 ouvèti nimerik), 8nm (High -NA EUV nan 0.55 NAm), oswa menm pou chak 5{{n}Nm} 0.7 – 0.75 NA) nan depans ekstrèm konpleksite nan sistèm litografi yo ki gen optik trè avanse ki koute dè santèn de milyon dola.
Lè yo sèvi ak yon longèdonn ki pi kout, chèchè nan Johns Hopkins University ka jwenn yon ogmantasyon rezolisyon intrinsèque menm ak lantiy ak NA modere. Sepandan, yo fè fas ak anpil defi ak B-EUV.
Premyèman, sous limyè B-EUV yo poko pare. Plizyè chèchè yo te eseye plizyè metòd pou jenere radyasyon longèdonn 6.7 nm (pa egzanp, lazè gadolinyòm-pwodwi plasma), men pa gen okenn apwòch estanda endistri-. Dezyèmman, longèdonn ki pi kout sa yo - akòz gwo enèji foton yo - kominike mal ak materyèl fotorezist tradisyonèl yo itilize nan chipmaking. Twazyèmman, paske limyè 6.5nm ~ 6.7nm longèdonn absòbe olye ke reflete pa prèske tout bagay, miwa ki kouvri plizyè kouch -pou kalite radyasyon sa a pa te pwodwi anvan.
|
Kalite litografi |
Longèdonn |
Rezolisyon ki ka reyalize |
Enèji foton |
Ouvèti nimerik (NA) |
Nòt |
|
g-liy (Pre-DUV) |
436 nm |
500 nm |
2.84 eV |
0.3 |
Sèvi ak lanp vapè mèki; nœuds eritaj; rezolisyon ki ba. |
|
i-liy (Pre-DUV) |
365 nm |
350 nm |
3.40 eV |
0.3 |
Itilize pou CMOS bonè. |
|
KrF DUV |
248 nm |
90 nm |
5.00 eV |
0.7 - 1.0 |
Itilize soti nan ~ 130 nm a 90 nm; sous lazè excimer; toujou itilize nan kouch backend. |
|
ArF DUV |
193 nm |
65 nm (sèk) - 45 nm (imèsyon + multimodèl) |
6.42 eV |
Jiska 1.35 (imèsyon) |
DUV ki pi avanse; toujou esansyèl nan nœuds milti-model 7 nm–5 nm; itilize pou anpil kouch nan nœuds 2nm. |
|
EUV |
13.5 nm |
13 nm (natif natal), 8 nm (modèl milti-) |
92 eV |
0.33 |
Nan pwodiksyon volim pou nœuds 5nm - 2nm. Yo pral itilize pou ane kap vini yo. |
|
Segondè -NA EUV |
13.5 nm |
8 nm (natif natal), 5 nm (pwolonje) |
92 eV |
0.55 |
Premye zouti: ASML EXE:5200B; sib pi lwen pase 2 nm-nœuds klas yo; redwi gwosè jaden, pi wo pri. |
|
Hyper-NA EUV (avni) |
13.5 nm |
4 nm oswa pi bon (teyorik) |
92 eV |
0.75 oswa plis |
Teknoloji nan lavni; mande miwa ekzotik ak jeni ultra-wo presizyon. |
|
Mou X-ray / B-EUV |
6.5 nm - 6.7 nm |
mwens pase 5 nm (teyorik) |
185-190 eV |
0.3 - 0.5 (espere) |
Eksperyans; foton ki gen gwo -enèji; nouvo metal-chimi òganik reziste anba tès. |
Finalman, zouti litografi sa yo dwe fèt nan grafouyen, e kounye a, pa gen okenn ekosistèm sipòte desen yo ak eleman ak consommables. An rezime, bati yon machin B-EUV (oswa machin Soft X{-ray?) mande avans nan sous limyè, miwa pwojeksyon, rezistans, e menm konsomab tankou pellicules oswa fotomask.
Rezoud defi youn nan yon tan
Chèchè nan Johns Hopkins University, ki te dirije pa Pwofesè Michael Tsapatsis, te eksplore kijan sèten metal ka amelyore entèraksyon ant limyè B-EUV (apeprè 6 nm longèdonn) ak reziste materyèl yo itilize nan chipmaking (sa vle di, yo pa t travay sou lòt defi ki asosye ak reyon X- Soft).
Ekip la te dekouvri metal tankou zenk yo kapab absòbe limyè B-EUV epi emèt elektwon, ki answit deklanche reyaksyon chimik nan konpoze òganik yo rele imidazol. Reyaksyon sa yo fè li posib pou grave modèl trè byen sou wafers semi-conducteurs.
Enteresan, pandan y ap zenk fè mal ak tradisyonèl 13.5nm EUV limyè, li vin trè efikas nan longèdonn ki pi kout, mete aksan sou ki jan li enpòtan matche ak materyèl la ak longèdonn dwat la.
Pou aplike konpoze metal-òganik sa yo nan gauf Silisyòm, chèchè yo te devlope yon teknik ki rele depo likid chimik (CLD). Metòd sa a kreye kouch mens, tankou glas-nan yon materyèl ki rele aZIF (amorphous zeolitic imidazolate frameworks), k ap grandi nan yon vitès 1nm pou chak segonn. CLD pèmèt tou tès rapid nan diferan konbinezon metal-imidazol, sa ki fè li pi fasil pou dekouvri pi bon pè yo pou diferan longèdonn litografi. Pandan ke zenk se byen adapte pou B-EUV, ekip la te note ke lòt metal yo ta ka fè pi byen nan longèdonn diferan, ofri fleksibilite pou fiti teknoloji chipmaking.
Apwòch sa a bay manifaktirè yo yon bwat zouti pou omwen 10 eleman metal ak dè santèn de ligand òganik yo kreye reziste koutim ki adapte a platfòm espesifik litografi, chèchè yo divilge.
Rezime
Malgre ke chèchè yo pa t rezoud tout pil B-EUV defi yo (egzanp, sous pouvwa, mask), yo avanse youn nan pi gwo blokaj yo: jwenn materyèl reziste ki ka travay ak 6nm longèdonn limyè. Yo te kreye pwosesis CLD pou aplike fim mens, inifòm nan kad imidazolat zeolitik amorphe (aZIFs) sou wafers Silisyòm. Yo te montre eksperimantal sèten metal (tankou zenk) ka absòbe limyè X-mou epi emèt elektwon ki deklanche reyaksyon chimik nan rezistans ki baze sou imidazol-.
Gen anpil defi pou rezoud ak B-EUV, epi teknoloji a pa gen yon chemen klè nan mache an mas. Sepandan, pwosesis CLD ka itilize trè lajman, tou de nan aplikasyon semi-conducteurs ak ki pa -semiconductor.
SwivTom's Hardware sou Google News, oswaajoute nou kòm yon sous pi pito, pou nou jwenn --nouvèl, analiz, ak revizyon yo nan fil ou yo. Asire w ou klike sou bouton Swiv la!
