Premye domestik 8-pous SiC ingot lazè totalman otomatik retire rad sou ou ekipman poukont devlope pa Jiangsu Jeneral Semiconductor co, Ltd te dènyèman te delivre ofisyèlman nan Guangzhou Nansha Wafer Semiconductor Technology Co, Ltd, yon antrepriz dirijan nan jaden an de SiC substrate pwodiksyon, li mete nan pwodiksyon.
Ekipman an ka reyalize totalman otomatik tranche nan 6-pous ak 8-pous SiC lengote, ki gen ladan loading ingot, fanm k'ap pile ingot, koupe lazè, separasyon wafer ak koleksyon wafer. Pwodiksyon endistriyèl li yo te ranpli espas sou mache a nan domèn rechèch ak devlopman ak fabrikasyon ekipman SiC ingot lazè retire rad sou ou nan Lachin, kraze nan blokaj teknoloji etranje a, anpil amelyore nivo endepandans ak endistriyalizasyon nan endistri SiC chip peyi mwen an, ak bay. yon garanti solid pou sekirite ak estabilite nan chèn ekipman pou chèn endistri sikwi entegre peyi mwen an.
Ekipman an ka retire 20,000 substrats SiC pa ane, reyalize yon sede ki gen plis pase 95%. Konpare ak pwosesis la koupe fil tradisyonèl yo, li redwi anpil pèt pwodwi, ak pri a nan ekipman an se sèlman 1/3 nan pwodwi etranje menm jan an.
